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- HY-3005電導(dǎo)率鹽密測(cè)試儀
詳細(xì)介紹：
一、概述
HY-3005電導(dǎo)率鹽密測(cè)試儀用于電力系統(tǒng)防污閃檢測(cè)，是測(cè)量絕緣子表面等值附鹽密度（以下簡(jiǎn)稱“鹽密”）的專用測(cè)量?jī)x器，同時(shí)還可以測(cè)量溶液的電導(dǎo)率和溫度。整機(jī)以其測(cè)量精度高、測(cè)量范圍大、使用方便等特點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于電力、教學(xué)、科研及其它相關(guān)行業(yè)。
污穢等級(jí)的劃分和污穢等級(jí)分布圖的繪制是防污閃工作的基礎(chǔ)，準(zhǔn)確的污穢等級(jí)分布圖是選擇輸、變電設(shè)備電瓷外絕緣爬距的依據(jù)。絕緣子表面等值附鹽密度值是判斷電瓷外絕緣污穢狀況嚴(yán)重程度的定量數(shù)據(jù)，是劃分污穢等級(jí)和繪制污區(qū)圖的重要依據(jù)之一。因此鹽密測(cè)量工作對(duì)電力系統(tǒng)安全運(yùn)行有著重要的意義。
參照標(biāo)準(zhǔn)：
GB/T16434–1996《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污穢分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
GB/T16434-200X《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分：定義、信息和一般原則》
Q/GDW152-2006《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污區(qū)分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
相關(guān)術(shù)語(yǔ)：
1）參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator
XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子（根據(jù)GB/T 7253），通常7~9片組成一串用來(lái)測(cè)量現(xiàn)場(chǎng)污穢度。
2）爬電距離 creepage distance
在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間，沿絕緣體表面的最短距離。
注：水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認(rèn)為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層，則該部分應(yīng)認(rèn)為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi)。
3）統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance（USCD）
絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的最高運(yùn)行電壓（對(duì)于交流系統(tǒng)，為最高相電壓）之比，mm/kV。
4）附鹽密度 salt deposit density（SDD）
人工涂覆于給定絕緣子表面（不包括金屬部件和裝配材料）上氯化鈉總量除以表面積，mg/cm²。
5）等值附鹽密度 equivalent salt deposit density（ESDD）
絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量，mg/cm²。
6）不溶物密度（簡(jiǎn)稱灰密） non soluble deposit density（NSDD）
絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積，mg/cm²。
7）現(xiàn)場(chǎng)等值鹽度 site equivalent salinity（SES）
根據(jù)GB/T 4585進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)時(shí)的鹽度。用該鹽度試驗(yàn)，在相同絕緣子和相同電壓下，產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場(chǎng)自然污穢條件下的泄露電流基本相同。
8）現(xiàn)場(chǎng)污穢度 site pollution severity（SPS）
在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間段內(nèi)測(cè)量到的污穢嚴(yán)重程度ESDD/NSDD或SES的最大值。
9）現(xiàn)場(chǎng)污穢度等級(jí) site pollution severity class
將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS的分級(jí)。
10）帶電系數(shù)K1 energy coefficient K1
同形式絕緣子帶電所測(cè)ESDD/NSDD（SES）值與非帶電所測(cè)ESDD/NSDD（SES）值之比，K1一般為1.1~1.5。
HY-3005電導(dǎo)率鹽密測(cè)試儀用于電力系統(tǒng)防污閃檢測(cè)，是測(cè)量絕緣子表面等值附鹽密度（以下簡(jiǎn)稱“鹽密”）的專用測(cè)量?jī)x器，同時(shí)還可以測(cè)量溶液的電導(dǎo)率和溫度。整機(jī)以其測(cè)量精度高、測(cè)量范圍大、使用方便等特點(diǎn)廣泛地應(yīng)用于電力、教學(xué)、科研及其它相關(guān)行業(yè)。
污穢等級(jí)的劃分和污穢等級(jí)分布圖的繪制是防污閃工作的基礎(chǔ)，準(zhǔn)確的污穢等級(jí)分布圖是選擇輸、變電設(shè)備電瓷外絕緣爬距的依據(jù)。絕緣子表面等值附鹽密度值是判斷電瓷外絕緣污穢狀況嚴(yán)重程度的定量數(shù)據(jù)，是劃分污穢等級(jí)和繪制污區(qū)圖的重要依據(jù)之一。因此鹽密測(cè)量工作對(duì)電力系統(tǒng)安全運(yùn)行有著重要的意義。
參照標(biāo)準(zhǔn)：
GB/T16434–1996《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污穢分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
GB/T16434-200X《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分：定義、信息和一般原則》
Q/GDW152-2006《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污區(qū)分級(jí)及外絕緣選擇標(biāo)準(zhǔn)》
相關(guān)術(shù)語(yǔ)：
1）參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator
XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子（根據(jù)GB/T 7253），通常7~9片組成一串用來(lái)測(cè)量現(xiàn)場(chǎng)污穢度。
2）爬電距離 creepage distance
在兩個(gè)導(dǎo)電部分之間，沿絕緣體表面的最短距離。
注：水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認(rèn)為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層，則該部分應(yīng)認(rèn)為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi)。
3）統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance（USCD）
絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的最高運(yùn)行電壓（對(duì)于交流系統(tǒng)，為最高相電壓）之比，mm/kV。
4）附鹽密度 salt deposit density（SDD）
人工涂覆于給定絕緣子表面（不包括金屬部件和裝配材料）上氯化鈉總量除以表面積，mg/cm²。
5）等值附鹽密度 equivalent salt deposit density（ESDD）
絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量，mg/cm²。
6）不溶物密度（簡(jiǎn)稱灰密） non soluble deposit density（NSDD）
絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積，mg/cm²。
7）現(xiàn)場(chǎng)等值鹽度 site equivalent salinity（SES）
根據(jù)GB/T 4585進(jìn)行鹽霧試驗(yàn)時(shí)的鹽度。用該鹽度試驗(yàn)，在相同絕緣子和相同電壓下，產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場(chǎng)自然污穢條件下的泄露電流基本相同。
8）現(xiàn)場(chǎng)污穢度 site pollution severity（SPS）
在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間段內(nèi)測(cè)量到的污穢嚴(yán)重程度ESDD/NSDD或SES的最大值。
9）現(xiàn)場(chǎng)污穢度等級(jí) site pollution severity class
將污穢嚴(yán)重程度從非常輕到非常嚴(yán)重按SPS的分級(jí)。
10）帶電系數(shù)K1 energy coefficient K1
同形式絕緣子帶電所測(cè)ESDD/NSDD（SES）值與非帶電所測(cè)ESDD/NSDD（SES）值之比，K1一般為1.1~1.5。